在美被宜普起诉四项专利侵权，广东英诺赛科表示将反击！
来源：知识产权家 发布日期：2023-06-13 阅读：64次
5月24日，美国宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corp, 以下简称“宜普”）在其官方网站发布声明，表示已向加州中区联邦地区法院和美国国际贸易委员会（ITC）提起诉讼，指控英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下简称“英诺赛科”）侵犯了宜普专利组合中的四项专利。
宜普电源转换公司于2007年成立，总部位于加利福尼亚州，是一家半导体公司，生产基于氮化镓的晶体管和集成电路。
英诺赛科成立于 2015 年 12 月，是一家总部位于珠海的 GaN 类器件制造商，产品包括高低压 GaN 电源 IC、功率半导体等，拥有全球最大的 8 英寸硅基 GaN 晶圆的生产基地。
根据起诉书，四项争议专利的美国专利号分别为：8350294、8404508、9748347及10312335，涉及宜普独家的增强型氮化镓功率半导体器件的设计和制造工艺的核心环节。
宜普要求获得损害赔偿并对英诺赛科下达禁令。
此外，起诉书还提到，英诺赛科雇佣了宜普的两名前员工，这两名员工分别受聘担任英诺赛科的首席技术官和销售总监，但英诺赛科对此表示否认。
英诺赛科在回应中表示，宜普的这一行动旨在破坏英诺赛科的竞争优势，构成了非法竞争。英诺赛科拥有自己广泛的全球专利组合，没有任何侵权行为，且基于两名员工离职加入英诺赛科的剽窃指控纯属推测，缺乏事实依据。
英诺赛科称，将通过一切法律途径进行反击。